最終更新日:2021/6/18

(株)半導体エネルギー研究所

  • 正社員

業種

  • 半導体・電子・電気機器
  • その他電気・電子関連
  • 化学
  • 機械
  • 機械設計

基本情報

本社
神奈川県
資本金
43億4,800万円
売上高
非公開
従業員
758名(2020年4月1日現在)
募集人数
21~25名

研究開発と知的財産に特化!次世代技術を創出し世界の進歩に貢献します。

  • 積極的に受付中

会社説明動画 ・WEB会社説明会のお知らせ (2021/06/18更新)

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弊社採用ページにて会社説明動画およびWEB会社説明会の情報をアップしています!

下記日程でWEB会社説明会を開催いたします。
  6/21(月) 、28(月) 各日ともに13時開始
いずれも理系向けですが、文系の学生さんもご参加いただけます。
先輩社員も参加予定です。ぜひ直接話を聞いてみませんか?

詳細は下記URLより、ご覧ください。

  http://recruit.sel.co.jp/saiyou/setsumei.html

SELは世界初の技術を生み出し、新たな市場を創出し、世界の進歩に貢献することを
目標に研究開発を行っています。
「こんなものがあったらいいなあ」と思っていたものを形にするためにSELでは創造的・独創的なアイディアを出し合っています。

SELの技術者として社会に貢献、さらには世界の進歩に貢献しませんか?

皆さまからのご応募、お問合せをお待ちしております。

会社紹介記事

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「大学よりも、大学らしく。」クリーンルームをはじめとする充実した研究環境が、最先端の技術開発を実現します。
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知性(空)、情熱(太陽)、純粋・清廉(雲)がテーマカラーのロゴマークです。知的好奇心を絶やさず、次世代を想う清い心で社会に貢献する研究者が集います。

研究開発と知的財産に特化した、「知的創造サイクル」というビジネスモデル

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知的創造サイクル 研究開発成果を特許とし、メーカーにライセンスすることで技術を広めるビジネスモデル

このビジネスモデルは、研究開発成果をより広く使ってもらい、産業の発展に貢献する、「産業のタネを創る仕事」と言い換えることもできます。過去にはアモルファスシリコンを用いた太陽電池、低温多結晶シリコンを用いたディスプレイの分野で産業の発展に大きく貢献しました。
現在は、結晶性酸化物半導体(CAAC-IGZO)を応用したLSI・ディスプレイ開発や、有機EL材料・デバイス開発、バッテリー開発に注力し、さらにはAIへの活用も視野に入れ、日夜研究開発に没頭しています。

会社データ

プロフィール

研究開発と知的財産に特化した「知的創造サイクル」というビジネスモデル。
研究開発の成果である発明を特許とし、メーカーにライセンスすることで技術を広め、業界の発展と新市場の開拓に貢献する。

<主な研究テーマ>
1980年代 薄膜型太陽電池(アモルファスシリコン)
1990年代 低温ポリシリコンを応用した中小型ディスプレイデバイスの開発
2000年代 有機EL材料、デバイス開発(2010年代以降も継続)
2010年代 結晶性酸化物半導体(CAAC-IGZO)を応用したデバイス開発(ディスプレイ、LSI)、バッテリー開発

特に、結晶性酸化物半導体(IGZO)については、2012年11月に世界で初めての商品化に貢献し、ディスプレイだけではなくLSIへの展開も進める。

Siトランジスタでは実現が困難な極低消費電力デバイスを実現し、IoT、AI時代における消費電力問題に取り組む

事業内容
◎研究開発
(対象分野)
・結晶性酸化物半導体(CAAC-IGZO)を用いたトランジスタや集積回路、及びそれらを統合した半導体デバイス
・バッテリーの各材料、及びそれらを統合したデバイス
・液晶・有機ELの材料や素子、及びそれらを統合したディスプレイデバイス

◎結晶性酸化物半導体(CAAC-IGZO)を用いたデバイスの量産試作

◎研究開発成果の特許取得、権利活用

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結晶性酸化物半導体(CAAC-IGZO)を応用したノーマリオフCPU。オフリーク電流が極小であるという特徴により極低消費電力のLSIを実現。IoT、AI時代への貢献が期待される。

本社郵便番号 243-0036
本社所在地 神奈川県厚木市長谷398番地
本社電話番号 046-248-1131
栃木事業所郵便番号 328-0114
栃木事業所所在地 栃木県栃木市都賀町升塚161番地2
栃木事業所電話番号 0282-29-2211
設立 1980年7月
資本金 43億4,800万円
従業員 758名(2020年4月1日現在)
売上高 非公開
事業所 本社:神奈川県厚木市
栃木事業所:栃木県栃木市
平均年齢 36歳
平均勤続年数 13年
沿革
  • 1980年、1982年
    • 1980年
      資本金2000万円にて東京都世田谷区に設立

      1982年
      ステンレス基板を用いたNIP型アモルファス太陽電池にて光電変換効率8.01%/AM1(100mW/cm2)を達成、世界一となる
  • 1984年
    • レーザスクライブ法による太陽電池の開発に世界で初めて成功
      100cm2の大面積のガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池の作製に関し、1バッチ当たりの平均光電変換効率にして8.67%、最高9.41%を達成、大面積の基準にて世界一を達成
  • 1985年、1986年
    • 1985年
      資本金を5000万円に増資

      ガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池にて、平均光電変換効率9.90%(100cm2)達成、世界一の記録更新

      神奈川県厚木市に本社・研究所を移転

      1986年
      世界初のダイヤモンド成膜装置を開発、販売開始
  • 1987年、1989年
    • 1987年
      第1回豪大陸縦断ワールド・ソーラー・チャレンジに参加

      1989年
      通産省のプロジェクトである(株)ジーティーシーに資本参加
  • 1990年
    • 資本金を4億8000万円に増資
      第2回豪大陸縦断ワールド・ソーラー・チャレンジに参加

      ガラス基板を用いたPIN型アモルファス太陽電池にて、光電変換効率12.29%(1.05cm2)達成、世界一の記録更新

      超伝導米国特許件数が第3位となる
  • 1991年、1993年
    • 1991年
      光電変換効率12.65%(1.05cm2)達成、世界一の記録更新

      多結晶TFTモビリティー329cm2/Vsecの世界一の記録達成

      線状レーザー結晶化システム(LS-6)完成

      1993年
      薄膜集積回路試作用設備投資を行う

      フレキシブル型太陽電池をTDK(株)より商品化
  • 1995年、1998年
    • 1995年
      世界初のアクティブ型有機EL(エレクトロルミネッセンス)をTDK(株)より発表

      1998年
      世界初の連続粒界結晶シリコン(CGS)技術をシャープ(株)とともに発表、システム・オン・パネルへの道を開く
  • 2000年、2001年
    • 2000年
      CEATEC JAPAN2000でアクティブ型有機ELを発表

      2001年
      有機EL用TFT基板の生産・販売のための合弁会社、エルディス(株)(資本金100億円)を東北パイオニア(株)、シャープ(株)とともに設立
  • 2002年
    • ガラス基板上にCPUを形成する技術をシャープ(株)とともに発表

      シャープ(株)にてCGシリコンの量産開始
  • 2003年
    • 資本金を43億4800万円に増資

      フラットパネルディスプレイ製造技術展でエルディス(株)、東北パイオニア(株)との共同ブースにてデュアルエミッション有機ELディスプレイを展示

      世界最高密度の188ppi(26万色)を達成した4.3インチVGA有機ELパネルを開発、発表
  • 2004年
    • 世界で初めてCPUをプラスチック基板上に形成し、駆動に成功
      世界最高画素密度の423ppi(開口率75%)を達成した1.5インチQXGA有機ELパネルを開発、発表
  • 2005年、2006年
    • 2005年
      曲がる無線回路を開発、駆動に成功

      IEDM(国際電子デバイス会議)にてフレキシブル基板上・ガラス基板上にRFCPUを形成することに成功したことを発表

      2006年
      100%出資子会社 アドバンスト フィルム ディバイス インク(株)を設立
  • 2007年
    • ISSCC(国際固体素子回路会議)にて、フレキシブル基板上・ガラス基板上のCPUで世界初UHF帯域(915MHz)の通信信号の動作に成功したことを発表

      CEATEC JAPAN2007で超薄型フレキシブルRFIDタグをTDK(株)と共同展示
  • 2008年、2009年
    • 2008年
      Cartes & IdentificationでフレキシブルRFIDをアドバンスト フィルム ディバイス インク(株)と共同展示

      2009年
      SID2009で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表

      AM-FPD’09で酸化物半導体(OS)TFTに関して発表、Best Paper Award受賞
  • 2011年
    • 3rd International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistorsにおいて、酸化物半導体(OS)TFTに関して発表、Best Poster Award受賞
  • 2012年
    • 酸化物半導体のc軸配向結晶(CAAC:C-Axis Aligned Crystal)をシャープ(株)と共同開発、発表

      原理的に劣化しない不揮発性メモリを内蔵したCPUを発表

      シャープ(株)よりCAAC-OSを用いたスマートフォン販売開始
  • 2013年
    • SID2013 The Display Industry Awards Display of the Year部門 金賞(シャープ(株)と共同受賞)

      SSDM2013にて、CAAC-OSを組み込んだCPUに関する論文がPaper Award受賞

      FPD International 2013 アワード 優秀賞受賞

      第27回 中日産業技術賞 経済産業大臣賞(シャープ(株)と共同受賞)
  • 2014年
    • SID2014にて、CAAC-OS FET採用の有機ELディスプレイに関して発表、Distinguished Paper Award受賞

      Display Innovation 2014に出展、「超高精細と超薄型フレシブルの有機ELディスプレイ」でDisplay Innovation アワード大賞受賞
  • 2015年
    • NHKの8Kプロモーションに協力、13.3型8K OLEDディスプレイをIBC Content Everywhere MENA 2015等で展示

      山崎社長が2015 SID Special Recognition Award受賞

      SID2015にて、「フレキシブルOLEDディスプレイの製造装置」、「OS-FETを用いた新規画素回路」を発表、Distinguished Paper Award受賞
  • 2016年
    • CAAC-IGZOの発見とその商品化により、SELとシャープ(株)がACerS Corporate Technical Achievement Award共同受賞

      酸化物半導体技術等への貢献により、山崎社長がACerS Medal for Leadership in the Advancement of Ceramic Technology受賞
  • 2017年
    • 山崎社長他が編者となった「結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO」に関する書籍3冊がJohn Wiley & Sons社より刊行

      AI WORLD CONFERENCE & EXPOに出展、「これからのAIの抱える課題:消費電力」という題で基調講演を実施
  • 2018年
    • SID2018にて、「 BT.2020色域対応低消費電力OLEDディスプレイ用高効率 Deep青蛍光ドーパント」について発表し、Distinguished Paper Award受賞

      山崎社長が米国セラミック協会 (ACerS) よりW. David Kingery Award受賞
  • 2019年
    • SID2019にて、「c軸配向結晶性酸化物半導体FETを用いた5291 ppi OLEDディスプレイ」、「有機イメージセンサ―搭載OLEDディスプレイ」について発表し、Distinguished Paper Awardを受賞

      共同開発CAAC-IGZO技術を用いたスマートフォンにより、SELとシャープ(株)がR&D 100 Awards共同受賞
  • 2020年
    • IEDM2020にて、超高精細AR/VR OLEDシステムディスプレイ等を展示
  • 2021年
    • IEEE EDTM2021にて、Silvaco, Inc.とCAAC-IGZO FETのシミュレーション用モデル(SPICEモデル)を共同開発したことを発表、本件の共同プレスリリースを自社ウェブサイトにて公開
      http://www.sel.co.jp/news/news/2021_04_pressrelease.html

働き方データ

  • 前年度の育児休業取得対象者数(男女別)
    前年度の育児休業取得対象者数(男女別)(女性) 前年度の育児休業取得対象者数(男女別)(男性) 前年度の育児休業取得対象者数(男女別)(合計)
    対象者 14名 14名 28名
    2019年度
  • 前年度の育児休業取得者数(男女別)
    前年度の育児休業取得者数(男女別)(女性) 前年度の育児休業取得者数(男女別)(男性) 前年度の育児休業取得者数(男女別)(合計)
    取得者 14名 3名 17名
    2019年度

問い合わせ先

問い合わせ先 〒243-0036
神奈川県厚木市長谷398番地
(株)半導体エネルギー研究所 採用担当
電話:046-248-1131(代表)
URL http://www.sel.co.jp/
E-mail sel-jinji@sel.co.jp
交通機関 小田急小田原線 愛甲石田駅北口より
■ 神奈川中央交通バス
2番乗り場「愛甲石田20系統 毛利台団地行」乗車(約10分)
本社:「柳町(やなぎまち)」バス停下車 徒歩2分
IPセンター:「依胡田(えごだ)」バス停下車 徒歩2分
■ タクシー 約10分
■ 徒歩   約30分
QRコード
QRコード
https://job.mynavi.jp/22/pc/search/corp64019/outline.html
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