最終更新日：2026/5/15

ミネベアパワーデバイス(株)

業種

半導体・電子・電気機器
自動車・自動車部品
その他電子・電気関連
重電・産業用電気機器

基本情報

本社: 茨城県

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	実は身近にある半導体製品の開発 Y.K 2022年入社 27歳横浜国立大学理工学部数物・電子情報系学科設計開発統括部　設計二部インバータICの設計、開発
	これまで社会になかった価値を設計できます。 M.N 2018年入社筑波大学数理物質科学研究科　電子・物理工学専攻設計開発統括部プロセス開発部パワー半導体のチップ設計を担当。専門性の高い仕事ができます。
	設計のその先へ。顧客と歩む技術の進化。 T．K 2023年入社 28歳茨城大学理工学研究科量子戦科学専攻設計二部制御ソフト・応用技術グループモータ制御ソフト開発・顧客の課題解決
	顧客視点で優れたモノを K.K 2021年入社 28歳東北大学工学研究科設計開発統括部ソフトウエア開発、顧客技術支援
	日本の半導体メーカーとしてプライドと情熱を H.N 2021年入社 27歳東京都市大学院総合理工学研究科電気化学専攻設計開発統括部ダイオード製品後工程開発、図面作成・修正
	設計したものが形になっていく楽しさ S.S 2022年入社佐賀大学理工学研究科　理工学専攻　電気電子工学コース設計開発統括部　設計二部シミュレーションや評価からOS先との連携など幅広い仕事
	自分の製品が世界の一部に！ T.B 2022年入社明治大学理工学部物理学科設計開発統括部設計一部構造設計Gr. パワー半導体の設計
	開発した製品が「お客様に届くまで」を見届ける仕事 N.T 2022年茨城工業高等専門学校国際創造工学科電気電子系設計開発統括部設計二部開発製品のシステム評価、顧客拡販や問合せ対応などの技術営業
	解析を重ね、構造の「最適解」を導き出す S.S 2022年入社 24歳東京工業高等専門学校電子工学科設計開発統括部ダイオード製品の後工程設計
	これが私の全力全開！ H.T 2017年 46歳明治大学商学部　卒業ビジネスオペレーション統括部　営業部営業業務全般
	製品の品質とコストを実現するためのプロフェッショナル！ K・N 2024年入社成城大学経済学部経営学科製造技術部新製品を早期に量産移行するための確認と提案をします。
	不具合の調査から、良品率（品質）の向上と高効率化を目指す！ H.N 2020年入社北陸先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科　先端科学技術専攻　マテリアルサイエンス系生産統括部　ウエハ製造部　生産技術課高圧ICでの良品率の管理と改善、不具合対応。
	理想のエンジニアになるために N.S 2024年入社岩手大学理工学部物理材料理工学科設計開発統括部　設計一部　構造設計グループ IGBT製品の設計・開発
	高品質・高歩留の新製品を早期量産化し業績へ貢献します。 Y.B 2007年入社北陸先端科学技術大学院大学物性科学専攻製造技術部　製造技術グループ IGBT開発品の試作及び量産性検討、量産移管する仕事です。
	半導体の品質とコストを保全・投資で実現 N.Y 2023年入社ものつくり大学総合機械学科生産統括部ウエハ製造部生産技術課ホトエッチ設備の保全計画、修繕、および設備投資を担当
	高品質な半導体提供を介して、社会を根底から支える E.S 2019年入社東京工科大学コンピュータサイエンス学部生産統括部ウエハ製造部生産技術課 IGBT/ダイオード製品の良品率管理, 改善, 不具合対応

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