最終更新日：2025/5/8

ミネベアパワーデバイス(株)

正社員
既卒可

業種

半導体・電子・電気機器
自動車・自動車部品
その他電子・電気関連
重電・産業用電気機器

基本情報

本社: 茨城県

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	顧客視点で優れたモノを K.K 2021年入社 28歳東北大学工学研究科設計開発統括部ソフトウエア開発、顧客技術支援
	世の中の役に立つモノづくりを一緒にしませんか。 T.W. 2016年入社北海道大学工学部　情報エレクトロニクス学科　卒業設計開発統括部　製品技術部半導体製品の設計・開発
	実は身近にある半導体製品の開発 Y.K 2022年入社 27歳横浜国立大学理工学部数物・電子情報系学科設計開発統括部　設計二部インバータICの設計、開発
	日本の半導体メーカーとしてプライドと情熱を H.N 2021年入社 27歳東京都市大学院総合理工学研究科電気化学専攻設計開発統括部ダイオード製品後工程開発、図面作成・修正
	これが私の全力全開！ H.T 2017年 46歳明治大学商学部　卒業ビジネスオペレーション統括部　営業部営業業務全般
	不具合の調査から、良品率（品質）の向上と高効率化を目指す！ H.N 2020年入社北陸先端科学技術大学院大学先端科学技術研究科　先端科学技術専攻　マテリアルサイエンス系生産統括部　ウエハ製造部　生産技術課高圧ICでの良品率の管理と改善、不具合対応。
	高品質・高歩留の新製品を早期量産化し業績へ貢献します。 Y.B 2007年入社北陸先端科学技術大学院大学物性科学専攻製造技術部　製造技術グループ IGBT開発品の試作及び量産性検討、量産移管する仕事です。
	自分の製品が世界の一部に！ T.B 2022年入社明治大学理工学部物理学科設計開発統括部設計一部構造設計Gr. パワー半導体の設計
	製品の品質とコストを実現するためのプロフェッショナル！ K・N 2024年入社成城大学経済学部経営学科製造技術部新製品を早期に量産移行するための確認と提案をします。
	理想のエンジニアになるために N.S 2024年入社岩手大学理工学部物理材料理工学科設計開発統括部　設計一部　構造設計グループ IGBT製品の設計・開発
	高品質な半導体提供を介して、社会を根底から支える E.S 2019年入社 28歳東京工科大学コンピュータサイエンス学部生産統括部ウエハ製造部生産技術課 IGBT/ダイオード製品の良品率管理, 改善, 不具合対応

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